IXTH30N25 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [9501पीसी स्टक]
- 1 pcs$5.01293
- 30 pcs$4.98799
- भाग संख्या:
- IXTH30N25
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 250V 30A TO-247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXTH30N25 electronic components. IXTH30N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH30N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH30N25 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXTH30N25
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
250V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
136nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3950pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
200W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247 (IXTH)
प्याकेज / केस :
TO-247-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
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- JANTXV2N6764T1
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- IRLZ44ZL
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- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
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- IPP076N15N5AKSA1
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3