Diodes Incorporated - HBDM60V600W-7

KEY Part #: K6392446

HBDM60V600W-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [773543पीसी स्टक]

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  • 6,000 pcs$0.04046
  • 15,000 pcs$0.03785
  • 30,000 pcs$0.03472

भाग संख्या:
HBDM60V600W-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HBDM60V600W-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : HBDM60V600W-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN, PNP
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 500mA, 600mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 65V, 60V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
पावर - अधिकतम : 200mW
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 100MHz
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363

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