भाग संख्या :
HUF75329D3ST
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
65nC @ 20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1060pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
128W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-252AA
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63