Vishay Siliconix - SI4829DY-T1-E3

KEY Part #: K6392831

SI4829DY-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [406296पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09149
  • 2,500 pcs$0.09104

भाग संख्या:
SI4829DY-T1-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4829DY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI4829DY-T1-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
श्रृंखला : LITTLE FOOT®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 210pF @ 10V
FET फिचर : Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta), 3.1W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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