यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

यदि तपाईंको स्थान सूचीबद्ध गरिएको छैन भने, कृपया निम्न मध्ये एउटा चयन गर्नुहोस्:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. घर
  2. उत्पादनहरू
  3. एकीकृत सर्किट (आईसीहरू)
  4. मेमोरी
  5. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR

Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR

KEY Part #: K939409

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [25024पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034
भाग संख्या:
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
निर्माता:
Micron Technology Inc.
विस्तृत विवरण:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: तर्क - FIFOs मेमोरी, विशेष आईसीहरू, पीएमआईसी - ऊर्जा मिटरिंग, ईन्टरफेस - एनालग स्विच - विशेष उद्देश्य, ईन्टरफेस - एनालग स्विच, मल्टिप्लेक्सर्स, डेमल्टिप्, PMIC - भोल्टेज नियामक - विशेष उद्देश्य, रेखीय - एनालग बहुगुणक, डिभिडियर्स and ईन्टरफेस - I / O विस्तारकर्ता ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR electronic components. MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
निर्माता : Micron Technology Inc.
वर्णन : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
मेमोरी प्रकार : Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा : FLASH
टेक्नोलोजी : FLASH - NAND
मेमोरी साइज : 2Gb (256M x 8)
घडी फ्रिक्वेन्सी : -
साइकल समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ : -
पहुँच समय : -
मेमोरी ईन्टरफेस : Parallel
भोल्टेज - आपूर्ति : 2.7V ~ 3.6V
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 63-VFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 63-VFBGA (9x11)

ताजा समाचारहरू

Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron LPDRAM
Micron NAND Flash
Micron NAND-Based MCP
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 9300 NVMe™ SSD
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

तातो पार्ट्स