Vishay Siliconix - IRLR014TR

KEY Part #: K6394336

IRLR014TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [63290पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.62089
  • 2,000 pcs$0.61780

भाग संख्या:
IRLR014TR
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR014TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRLR014TR
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 200 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.4nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 400pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-Pak
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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