निर्माता :
Sharp Microelectronics
वर्णन :
SENSOR PHOTODIODE 960NM SIDE
स्पेक्ट्रल दायरा :
680nm ~ 1200nm
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
32V
वर्तमान - गाढा (प्रकार) :
1nA
अपरेटिंग तापमान :
-25°C ~ 85°C
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
Side View