Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D01FU,LF(T

KEY Part #: K6474673

HN1D01FU,LF(T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [944660पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03915

भाग संख्या:
HN1D01FU,LF(T
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HN1D01FU,LF(T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : HN1D01FU,LF(T
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 2 Pair Common Anode
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 100mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 100mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 80V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : US6

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