Toshiba Semiconductor and Storage - CRS09(TE85L,Q,M)

KEY Part #: K6456286

CRS09(TE85L,Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [674757पीसी स्टक]

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  • 30,000 pcs$0.04651

भाग संख्या:
CRS09(TE85L,Q,M)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers Diode Schottky 30V 1.5A Vf=0.46V
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CRS09(TE85L,Q,M) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CRS09(TE85L,Q,M)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 30V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 460mV @ 1.5A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 50µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F : 90pF @ 10V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOD-123F
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : S-FLAT (1.6x3.5)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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