Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J16CT(TPL3)

KEY Part #: K6403829

[2222पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SSM3J16CT(TPL3)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT(TPL3) electronic components. SSM3J16CT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J16CT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J16CT(TPL3) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SSM3J16CT(TPL3)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
    श्रृंखला : π-MOSVI
    भाग स्थिति : Active
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100mA (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.1V @ 100µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
    Vgs (अधिकतम) : ±10V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 11pF @ 3V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 100mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : CST3
    प्याकेज / केस : SC-101, SOT-883

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