Diodes Incorporated - 1N4001-T

KEY Part #: K6456517

1N4001-T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2635147पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01404
  • 5,000 pcs$0.00921
  • 10,000 pcs$0.00800
  • 25,000 pcs$0.00721
  • 50,000 pcs$0.00640
  • 125,000 pcs$0.00532

भाग संख्या:
1N4001-T
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41. Rectifiers Vr/50V Io/1A T/R
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4001-T electronic components. 1N4001-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4001-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4001-T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1N4001-T
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 50V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-204AL, DO-41, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-41
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 150°C

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • UGB8JTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM

  • UGB8HTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 500 Volt 25ns Dual 65 Amp IFSM

  • UGB8BT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8CT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM