IXYS - IXFN100N10S3

KEY Part #: K6407028

[1116पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IXFN100N10S3
    निर्माता:
    IXYS
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in IXYS IXFN100N10S3 electronic components. IXFN100N10S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN100N10S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN100N10S3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IXFN100N10S3
    निर्माता : IXYS
    वर्णन : MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
    श्रृंखला : HiPerFET™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 4mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 180nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 360W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
    प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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