Rohm Semiconductor - RYM002N05T2CL

KEY Part #: K6417009

RYM002N05T2CL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1346019पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03038
  • 8,000 pcs$0.03023

भाग संख्या:
RYM002N05T2CL
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RYM002N05T2CL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RYM002N05T2CL
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 200mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 0.9V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 800mV @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 26pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : VMT3
प्याकेज / केस : SOT-723

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