Vishay Semiconductor Diodes Division - V10P12HM3_A/H

KEY Part #: K6444613

V10P12HM3_A/H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [229477पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.13410
  • 7,500 pcs$0.12485
  • 10,500 pcs$0.12331

भाग संख्या:
V10P12HM3_A/H
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V10P12HM3_A/H उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : V10P12HM3_A/H
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 120V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 820mV @ 10A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 400µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-277A (SMPC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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