Toshiba Semiconductor and Storage - TK5P60W,RVQ

KEY Part #: K6407571

TK5P60W,RVQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [122345पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.32228
  • 2,000 pcs$0.32068

भाग संख्या:
TK5P60W,RVQ
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W,RVQ electronic components. TK5P60W,RVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK5P60W,RVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK5P60W,RVQ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK5P60W,RVQ
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 900 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 270µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 380pF @ 300V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 60W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DPAK
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8729TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.