[146पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IPP070N06N G
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP070N06N G electronic components. IPP070N06N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP070N06N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP070N06N G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP070N06N G
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 180µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4100pF @ 30V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
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- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
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- IPW60R045CPAFKSA1
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- BUZ32
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- ISL9N302AP3
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