Toshiba Semiconductor and Storage - CRH01(TE85L,Q,M)

KEY Part #: K6456683

CRH01(TE85L,Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [651490पीसी स्टक]

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  • 30,000 pcs$0.04817

भाग संख्या:
CRH01(TE85L,Q,M)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT. Rectifiers HED trrmax=35ns 1A VRRM=200V
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CRH01(TE85L,Q,M) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CRH01(TE85L,Q,M)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 980mV @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOD-123F
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : S-FLAT (1.6x3.5)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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