Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2BHE3_A/I

KEY Part #: K6457372

ES2BHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [471758पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07840
  • 6,400 pcs$0.07105

भाग संख्या:
ES2BHE3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2BHE3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ES2BHE3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 2A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 900mV @ 2A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 20ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AA, SMB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AA (SMB)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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