IXYS - IXTN200N10L2

KEY Part #: K6398751

IXTN200N10L2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2499पीसी स्टक]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

भाग संख्या:
IXTN200N10L2
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN200N10L2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXTN200N10L2
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
श्रृंखला : Linear L2™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 178A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 23000pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 830W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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