ON Semiconductor - HGTG10N120BND

KEY Part #: K6423038

HGTG10N120BND मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [23675पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.63059
  • 10 pcs$1.46268
  • 100 pcs$1.19857
  • 500 pcs$0.96799
  • 1,000 pcs$0.81638

भाग संख्या:
HGTG10N120BND
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
IGBT 1200V 35A 298W TO247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG10N120BND उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : HGTG10N120BND
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : IGBT 1200V 35A 298W TO247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Not For New Designs
IGBT प्रकार : NPT
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 35A
वर्तमान - कलेक्टर पल्स (आईसीएम) : 80A
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.7V @ 15V, 10A
पावर - अधिकतम : 298W
ऊर्जा स्विच गर्दै : 850µJ (on), 800µJ (off)
इनपुट प्रकार : Standard
गेट चार्ज : 100nC
टीडी (अन / अफ) @ २° डिग्री सेल्सियस : 23ns/165ns
परीक्षण अवस्था : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 70ns
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-247-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247

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