NTHD3101FT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [575551पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.06426
- 3,000 pcs$0.06195
- भाग संख्या:
- NTHD3101FT1G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NTHD3101FT1G electronic components. NTHD3101FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD3101FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHD3101FT1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NTHD3101FT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.2A (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
680pF @ 10V
FET फिचर :
Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ChipFET™
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
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