ON Semiconductor - NTMFS5C612NLT1G-UIL5

KEY Part #: K6418356

NTMFS5C612NLT1G-UIL5 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [60484पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.64645

भाग संख्या:
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5C612NLT1G-UIL5 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTMFS5C612NLT1G-UIL5
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 36A (Ta), 235A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6660pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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