Infineon Technologies - BAS21E6327HTSA1

KEY Part #: K6455461

BAS21E6327HTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2403531पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01539
  • 3,000 pcs$0.01408
  • 6,000 pcs$0.01270
  • 15,000 pcs$0.01105
  • 30,000 pcs$0.00994
  • 75,000 pcs$0.00884
  • 150,000 pcs$0.00736

भाग संख्या:
BAS21E6327HTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21E6327HTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BAS21E6327HTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Last Time Buy
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 250mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.25V @ 200mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 150°C (Max)

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