IXYS - IXKN75N60C

KEY Part #: K6397987

IXKN75N60C मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2426पीसी स्टक]

  • 1 pcs$18.73585
  • 10 pcs$17.52201
  • 25 pcs$16.20512
  • 100 pcs$15.19230
  • 250 pcs$14.17948

भाग संख्या:
IXKN75N60C
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXKN75N60C उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXKN75N60C
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 75A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 560W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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