RN4987FE,LF(CT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1936260पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.01910
- भाग संख्या:
- RN4987FE,LF(CT
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT electronic components. RN4987FE,LF(CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN4987FE,LF(CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN4987FE,LF(CT उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
RN4987FE,LF(CT
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) :
100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) :
50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) :
10 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) :
47 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी :
300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) :
500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण :
250MHz, 200MHz
पावर - अधिकतम :
100mW
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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