ON Semiconductor - FCD4N60TF

KEY Part #: K6410010

[83पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    FCD4N60TF
    निर्माता:
    ON Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in ON Semiconductor FCD4N60TF electronic components. FCD4N60TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD4N60TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FCD4N60TF उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : FCD4N60TF
    निर्माता : ON Semiconductor
    वर्णन : MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
    श्रृंखला : SuperFET™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.9A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.2 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±30V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 540pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 50W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-Pak
    प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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