Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS16D-HE3-18

KEY Part #: K6439972

BAS16D-HE3-18 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2422835पीसी स्टक]

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  • 10,000 pcs$0.01412

भाग संख्या:
BAS16D-HE3-18
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16D-HE3-18 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BAS16D-HE3-18
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 75V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 250mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.25V @ 150mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 6ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOD-123
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOD-123
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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