VS-HFA08TB120SL-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [94052पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.41574
- भाग संख्या:
- VS-HFA08TB120SL-M3
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 8A IF (TO-263AB) 130A IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120SL-M3 electronic components. VS-HFA08TB120SL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TB120SL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08TB120SL-M3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
VS-HFA08TB120SL-M3
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK
श्रृंखला :
HEXFRED®
भाग स्थिति :
Active
डायोड कन्फिगरेसन :
-
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1200V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) :
-
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
4.3V @ 16A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
95ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 1200V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263AB (D²PAK)
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तातो पार्ट्स
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- MBRTA60020L
- MBRTA500100R
- MBRTA500100
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