Infineon Technologies - IRFB4615PBF

KEY Part #: K6416144

IRFB4615PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [35830पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.89641
  • 100 pcs$0.72022
  • 500 pcs$0.56017
  • 1,000 pcs$0.46414

भाग संख्या:
IRFB4615PBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4615PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFB4615PBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 39 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1750pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 144W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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