SI5913DC-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1337पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.09104
- भाग संख्या:
- SI5913DC-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5913DC-T1-GE3 electronic components. SI5913DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5913DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5913DC-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI5913DC-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
श्रृंखला :
LITTLE FOOT®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
84 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
330pF @ 10V
FET फिचर :
Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
1206-8 ChipFET™
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
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तातो पार्ट्स
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