Microsemi Corporation - APTM100DA18TG

KEY Part #: K6396611

APTM100DA18TG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1374पीसी स्टक]

  • 1 pcs$31.66919
  • 100 pcs$31.51163

भाग संख्या:
APTM100DA18TG
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DA18TG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM100DA18TG
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 43A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 372nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 10400pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 780W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP4
प्याकेज / केस : SP4

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