[1915पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF8306MTR1PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF electronic components. IRF8306MTR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8306MTR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF8306MTR1PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF8306MTR1PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
23A (Ta), 140A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
38nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4110pF @ 15V
FET फिचर :
Schottky Diode (Body)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.1W (Ta), 75W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET™ MX
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric MX
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