Rohm Semiconductor - RFN1LAM6STR

KEY Part #: K6453481

RFN1LAM6STR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1067595पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03830
  • 3,000 pcs$0.03811
  • 6,000 pcs$0.03430
  • 15,000 pcs$0.03049
  • 30,000 pcs$0.02858
  • 75,000 pcs$0.02534

भाग संख्या:
RFN1LAM6STR
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 700V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Rohm Semiconductor RFN1LAM6STR electronic components. RFN1LAM6STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN1LAM6STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN1LAM6STR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RFN1LAM6STR
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 800mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.45V @ 800mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 35ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOD-128
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PMDTM
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 150°C (Max)

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