Vishay Semiconductor Diodes Division - TZX4V7B-TAP

KEY Part #: K6517041

TZX4V7B-TAP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3425693पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01080
  • 30,000 pcs$0.00925

भाग संख्या:
TZX4V7B-TAP
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35. Zener Diodes 4.7 Volt 0.5W 5%
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division TZX4V7B-TAP electronic components. TZX4V7B-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TZX4V7B-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TZX4V7B-TAP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TZX4V7B-TAP
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) : 4.7V
सहनशीलता : -
पावर - अधिकतम : 500mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) : 100 Ohms
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 2V
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.5V @ 200mA
अपरेटिंग तापमान : -65°C ~ 175°C
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-35

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