निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
51A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 90µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
14nC @ 6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1515pF @ 50V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
63W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PQFN (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN