Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH0806-M3

KEY Part #: K6446888

VS-ETH0806-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [83500पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.45991
  • 10 pcs$0.41308
  • 25 pcs$0.39201
  • 100 pcs$0.30457
  • 250 pcs$0.28473
  • 500 pcs$0.25162
  • 1,000 pcs$0.19865
  • 2,500 pcs$0.18540
  • 5,000 pcs$0.17657

भाग संख्या:
VS-ETH0806-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2. Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH0806-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-ETH0806-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
श्रृंखला : FRED Pt®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 2.65V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 21ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 12µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-2
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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