भाग संख्या :
FCPF360N65S3R0L
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
SUPERFET3 650V TO220F PKG
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
730pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
27W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220F-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack