Infineon Technologies - IPS70R1K4P7SAKMA1

KEY Part #: K6415012

IPS70R1K4P7SAKMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [121455पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.30058
  • 10 pcs$0.25272
  • 100 pcs$0.18952
  • 500 pcs$0.13897
  • 1,000 pcs$0.10739

भाग संख्या:
IPS70R1K4P7SAKMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS70R1K4P7SAKMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPS70R1K4P7SAKMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
श्रृंखला : CoolMOS™ P7
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 40µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 158pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 22.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO251-3
प्याकेज / केस : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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