SSM3J117TU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [929174पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.04171
- 3,000 pcs$0.04150
- भाग संख्या:
- SSM3J117TU,LF
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU,LF electronic components. SSM3J117TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J117TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J117TU,LF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM3J117TU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
श्रृंखला :
U-MOSII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
117 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.6V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
280pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
UFM
प्याकेज / केस :
3-SMD, Flat Leads
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