Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08SD60S-M3

KEY Part #: K6453017

VS-HFA08SD60S-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [40837पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.92818
  • 10 pcs$0.83495
  • 25 pcs$0.78787
  • 100 pcs$0.67122
  • 250 pcs$0.63024
  • 500 pcs$0.55146
  • 1,000 pcs$0.45692
  • 2,500 pcs$0.42541

भाग संख्या:
VS-HFA08SD60S-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08SD60S-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA08SD60S-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.7V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 55ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-PAK (TO-252AA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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