SI7998DP-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [123967पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.29837
- 3,000 pcs$0.28017
- भाग संख्या:
- SI7998DP-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 electronic components. SI7998DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7998DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7998DP-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI7998DP-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
25A, 30A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
26nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
22W, 40W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual
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