Toshiba Semiconductor and Storage - TK9A90E,S4X

KEY Part #: K6398005

TK9A90E,S4X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [42125पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.02016
  • 50 pcs$0.82207
  • 100 pcs$0.73987
  • 500 pcs$0.57546
  • 1,000 pcs$0.47681

भाग संख्या:
TK9A90E,S4X
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9A90E,S4X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK9A90E,S4X
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 900V TO220SIS
श्रृंखला : π-MOSVIII
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 900µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2000pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 50W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220SIS
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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