Vishay Siliconix - SI1443EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421438

SI1443EDH-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [554957पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.06317

भाग संख्या:
SI1443EDH-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1443EDH-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI1443EDH-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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