Rohm Semiconductor - RDN080N25FU6

KEY Part #: K6407335

[1009पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    RDN080N25FU6
    निर्माता:
    Rohm Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 electronic components. RDN080N25FU6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDN080N25FU6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RDN080N25FU6 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : RDN080N25FU6
    निर्माता : Rohm Semiconductor
    वर्णन : MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 250V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±30V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 543pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 35W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220FN
    प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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