Vishay Siliconix - SUP60N02-4M5P-E3

KEY Part #: K6405901

[1505पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SUP60N02-4M5P-E3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SUP60N02-4M5P-E3 electronic components. SUP60N02-4M5P-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP60N02-4M5P-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUP60N02-4M5P-E3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SUP60N02-4M5P-E3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5950pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.75W (Ta), 120W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
    प्याकेज / केस : TO-220-3

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