निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
130mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10 Ohm @ 130mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
45pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250mW (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-236AB
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3