Toshiba Semiconductor and Storage - RN2310,LF

KEY Part #: K6526362

RN2310,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2910718पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01277
  • 3,000 pcs$0.01271

भाग संख्या:
RN2310,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LF electronic components. RN2310,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2310,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2310,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN2310,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : PNP - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 100mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 4.7 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : -
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100nA (ICBO)
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 200MHz
पावर - अधिकतम : 100mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SC-70, SOT-323
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : USM

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