भाग संख्या :
IPI139N08N3GHKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
45A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13.9 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 33µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
25nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1730pF @ 40V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
79W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO262-3
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA