Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM11-200HE3/96

KEY Part #: K6439377

BYM11-200HE3/96 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [623267पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05934
  • 6,000 pcs$0.05426

भाग संख्या:
BYM11-200HE3/96
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM11-200HE3/96 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYM11-200HE3/96
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
श्रृंखला : SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 150ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-213AB, MELF (Glass)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-213AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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