Vishay Siliconix - SIZ700DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523961

SIZ700DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3991पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.26190

भाग संख्या:
SIZ700DT-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ700DT-T1-GE3 electronic components. SIZ700DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ700DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ700DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIZ700DT-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 16A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1300pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2.36W, 2.8W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-PowerPair™
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-PowerPair™

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ